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国产NAND量产倒计时 美日韩厂“躺赢”将终结
[ 2018-4-27 ]

近日,本土NAND供应商长江存储位于武汉的生产基地开始安装芯片生产机台,由此该基地的工作重点正式从厂房建设转向投产准备。预计今年年底,武汉NAND基地将小规模量产32层3D NAND芯片。目前,长江存储也获得了第一笔订单:总计10776颗闪存芯片,将用于8GB USD存储卡产品。


国产闪存取得“零度突破”,确实振奋人心,加上此前紫光内存也投入量产,今年确实是本土半导体的大年。现阶段,国际存储器市场依旧处在景气周期,不论是内存还是闪存总体上均供不应求。国产存储器的量产,无疑将会推升供给端,并有潜力逆转当前的供求形势。对美日韩大厂来说,单边上涨行情的趋弱甚至终结,标志着以往“躺赢”的日子一去不复返。


存储器市场内需庞大 本土厂商填补势在必行


现阶段,智能手机依然是对存储器需求最大的产业领域。尽管智能手机面对增长瓶颈,但该产业所消耗的DRAM和NAND闪存不论是规格还是数量均占大部。特别是近年来国产手机品牌崛起,所掀起的配置大战更是进一步推升了国内存储器市场的需求量。


此外,人工智能、联网汽车等应用同样需要快速且大容量的存储器,随着这些产业迅速崛起,DRAM和闪存的需求也随之水涨船高,发展到与手机行业争产能的地步。由于众多诸多需求井喷,存储器自2016年下半年起便掀起狂热的涨价潮,直接成就了三星SK海力士美光等供应商的出色业绩。


然而事情的另一面,却是本土IC产业在存储领域长期缺位,根本吃不到这轮产业红利。更深入看,存储器作为战略级别的元器件,其核心科技掌握在美日韩厂商之手,对国家安全、产业安全十分不利,因此发展本土存储产业,其必要性不言而喻。


四大本土厂商启动自主进程


目前我国主要有四大厂商攻坚存储芯片,以提高本土芯片自给率,保障国家安全及产业安全。


首先提及的就是即将量产的长江存储。通过不懈努力,长江存储于去年9月提前完成厂房封顶工作,今年4月又提前20天实现了生产机台迁入,预计今年年底即可量产32层NAND。下一个目标,长江存储还要攻克64层NAND,尽量追赶美日韩厂的先进水平。


再看DRAM。目前,合肥长鑫宣布其12寸生产基地的300台设备基本到位,装机后预计下半年投入试产。按照规划,合肥长鑫将在今年年底启动生产8G DDR4工程样品;2019年2019年底实现单月产能2万片;2020年开始规划二厂建设;2021年完成17 nm技术研发。


在合肥还有另一家存储厂商兆易创新也投入DRAM。目前兆易创新正研发19 nm DRAM,预计今年年底前研发成功实现试产良率不低于10%。相较NAND,高制程DRAM技术难度有过之无不及,三星等厂商均经历了一段阵痛期才进化到18 nm的水平,因此对合肥长鑫和兆易创新,也唯有报以期待。


在DRAM领域,一支力量,即福建晋华。相比前述厂商攻坚标准型和移动型产品,晋华选择的是32nm 利基型DRAM,此类产品用于路由器、机顶盒等设备,其研发门槛较低,市场也较小,面对的竞争较为平和,因此相对容易成功。


存储器供应形势生变局


自2016年下半年,存储器总体上处于涨价周期,美日韩厂商均有巨额盈利。为博取更大利润,三星SK海力士东芝等厂都开启了扩产计划,这些新增产能预计2019至2020年陆续开出,而原有供不应求的市场形势也有望回归供求同步增长的理性格局。


实际上,随着目前淡季效应显现,NAND闪存自开年起便呈现小幅供过于求的行情,而DRAM则继续保持景气。预计下半年电子产品旺季,存储器才重回紧俏行情。


不过,随着本土存储厂商打入供应端,很难再判断存储器的火热能否再延续一年乃至数年。目前,长江存储所主打的32层闪存严重落后,对市场影响有限,但其64层闪存投产后,就会产生可观影响。综合国际厂商扩产及本土厂商的增产,预计2019年起闪存市场将出现供过于求的情况,届时闪存涨价趋于缓和甚至终结,供应商“躺赢”获利的局面也不复存在。


至于DRAM,标准型、移动型和服务器用内存均保持稳步增长,而厂商扩产又主要集中于3D NAND,因此供不应求将贯穿本年度,并将延续至2019年。由于先进制程DRAM开发难度极大,本土供应商短期内无法挤进供给端,加之美韩厂商扩产有限,因此DRAM的行情将会比NAND坚挺。


前景:利用内需完成供给替代


目前,中国已发展成世界上最大的存储器消费市场,但本土存储产业的空白,使得如此庞大的市场尽被国际大厂瓜分。对本土IC产业来说,亟待打破困局。


综合看,美日韩厂技术本就先进,又不断发展,本土厂商追赶的难度可想而知,也正是因此,本土存储势力才需投入更大人力物力,争取早日研发出高端存储器。战略上,本土存储器的成功离不开广大的内需市场。政府牵头通过产业补贴等各个途径,利用内需逐步完成供给替代,才是最终的解决之道。



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